PIN二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种PIN二极管，有圆片状N型阴极，圆片状N型阴极的中间部分上方生长有本征半导体，圆片状N型阴极的周边部分上方形成有圆环状N型外基区阴极，本征半导体远离N型阴极端的区域上方形成有圆片状P型阳极。本发明还公开了另一种PIN二极管，有圆环状N型阴极，圆环状N型阴极的中间部分上方生长有本征半导体，圆环状N型阴极的周边部分上方形成有圆环状N型外基区阴极，本征半导体远离N型阴极端的区域上方形成有圆片状P型阳极。本发明的PIN二极管，导通电阻低并且其制造工艺能兼容于BiCMOS工艺。本发明还公开了所述PIN二极管的制造方法。

主权项

一种PIN二极管，包括基板、N型阴极、本征半导体、P型阳极、隔离区、N型外基区阴极，其特征在于，所述基板上方形成有圆片状N型阴极，圆片状N型阴极的中间部分上方生长有本征半导体，圆片状N型阴极的周边部分上方形成有与圆片状N型阴极同轴的圆环状N型外基区阴极，所述本征半导体靠近所述N型阴极端的周边同圆环状N型外基区阴极相贴，所述本征半导体远离N型阴极端的中央区域上方形成有与圆片状N型阴极同轴的圆片状P型阳极，所述本征半导体远离N型阴极端的周边及圆片状P型阳极周边同圆环状N型外基区阴极之间通过与圆片状N型阴极同轴的圆环状隔离区隔离。