发明名称 硅的制造方法、硅以及太阳能电池面板
摘要 本发明涉及硅的制造方法,该制造方法的特征在于,其含有下述处理过程:使含有杂质的熔融硅与熔融盐在容器内接触,使该熔融硅中的杂质与熔融盐反应,将该杂质去除到体系外。
申请公布号 CN102448882A 申请公布日期 2012.05.09
申请号 CN201080023329.X 申请日期 2010.06.25
申请人 三菱化学株式会社 发明人 有田阳二;米田隆志
分类号 C01B33/037(2006.01)I 主分类号 C01B33/037(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 丁香兰;张志楠
主权项 一种硅的制造方法,该制造方法的特征在于,其包括下述工序:使含有杂质的熔融硅与熔融盐在容器内接触,使该熔融硅中的杂质与熔融盐反应,将该杂质去除到体系外。
地址 日本东京都