| 发明名称 | 一种半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构，所述半导体结构形成于第一半导体层上，所述半导体结构包括主纳米线、纳米线组和两个半导体基体；各所述半导体基体包括至少两个第二半导体层，各所述第二半导体层形成于绝缘层上，在各所述半导体基体之间，各所述第二半导体层及各所述绝缘层一一对应；所述纳米线组包括至少两个纳米线，所述主纳米线、各所述纳米线分立且均包含第三半导体层，所述第二半导体层与所述第一半导体层和/或所述第三半导体层材料不同；所述主纳米线与靠近所述第一半导体层的对应的所述第二半导体层相接；各所述纳米线与各对应的所述第二半导体层一一相接；各所述纳米线在所述第一半导体层上的投影重合。以及，一种半导体结构的形成方法。利于增加集成度。 | ||
| 申请公布号 | CN102446952A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201010501694.9 | 申请日期 | 2010.09.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 梁擎擎;徐秋霞;钟汇才;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 赵伟 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其特征在于：所述半导体结构形成于第一半导体层上，所述半导体结构包括主纳米线、纳米线组和两个半导体基体；各所述半导体基体包括至少两个第二半导体层，各所述第二半导体层形成于绝缘层上，在各所述半导体基体之间，各所述第二半导体层及各所述绝缘层一一对应；所述纳米线组包括至少两个纳米线，所述主纳米线、各所述纳米线分立且均包含第三半导体层，所述第二半导体层与所述第一半导体层和/或所述第三半导体层材料不同；所述主纳米线与靠近所述第一半导体层的对应的所述第二半导体层相接；各所述纳米线与各对应的所述第二半导体层一一相接；各所述纳米线在所述第一半导体层上的投影重合。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||