发明名称 |
一种微波退火形成镍硅化物的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种微波退火形成镍硅化物的方法:对暴露的硅表面进行预清洗,除去自然氧化物;沉积镍或者镍合金,在其表面覆盖一层阻挡层;将晶片加热至第一温度的过程中同时使用微波辐射,使镍或者镍合金的一部分与硅反应形成高电阻的一硅化二镍;移除镍或者镍合金的表面的阻挡层和未反应的镍或者镍合金;将晶片加热至第二温度的过程中同时使用微波辐射,使高电阻一硅化二镍转化为低电阻的硅化镍。本发明在加热的同时使用微波对硅片表面进行辐照,提高原子运动的活性,促进原子重新排列;降低了加热的第一温度,对镍的第一步扩散进行限制;在第二温度基础上提高原子运动的活性,促进原子重新排列,有助于改善硅化镍的均匀性,提高器件的性能。 |
申请公布号 |
CN102446730A |
申请公布日期 |
2012.05.09 |
申请号 |
CN201110307935.0 |
申请日期 |
2011.10.12 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
周军 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
王敏杰 |
主权项 |
一种微波退火形成镍硅化物的方法,其特征在于,包括下列步骤:对暴露的硅表面进行预清洗,除去自然氧化物;在清洗后的硅表面上沉积镍或者镍合金,在镍或者镍合金的表面覆盖一层阻挡层;将晶片加热至第一温度的过程中,同时使用微波辐射,使镍或者镍合金的一部分与硅反应形成高电阻的一硅化二镍;移除镍或者镍合金的表面的阻挡层和未反应的镍或者镍合金;将晶片加热至第二温度的过程中,同时使用微波辐射,使所述高电阻一硅化二镍转化为低电阻的硅化镍。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |