发明名称 一种微波退火形成镍硅化物的方法
摘要 本发明公开了一种微波退火形成镍硅化物的方法:对暴露的硅表面进行预清洗,除去自然氧化物;沉积镍或者镍合金,在其表面覆盖一层阻挡层;将晶片加热至第一温度的过程中同时使用微波辐射,使镍或者镍合金的一部分与硅反应形成高电阻的一硅化二镍;移除镍或者镍合金的表面的阻挡层和未反应的镍或者镍合金;将晶片加热至第二温度的过程中同时使用微波辐射,使高电阻一硅化二镍转化为低电阻的硅化镍。本发明在加热的同时使用微波对硅片表面进行辐照,提高原子运动的活性,促进原子重新排列;降低了加热的第一温度,对镍的第一步扩散进行限制;在第二温度基础上提高原子运动的活性,促进原子重新排列,有助于改善硅化镍的均匀性,提高器件的性能。
申请公布号 CN102446730A 申请公布日期 2012.05.09
申请号 CN201110307935.0 申请日期 2011.10.12
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 周军
分类号 H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/28(2006.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 王敏杰
主权项 一种微波退火形成镍硅化物的方法,其特征在于,包括下列步骤:对暴露的硅表面进行预清洗,除去自然氧化物;在清洗后的硅表面上沉积镍或者镍合金,在镍或者镍合金的表面覆盖一层阻挡层;将晶片加热至第一温度的过程中,同时使用微波辐射,使镍或者镍合金的一部分与硅反应形成高电阻的一硅化二镍;移除镍或者镍合金的表面的阻挡层和未反应的镍或者镍合金;将晶片加热至第二温度的过程中,同时使用微波辐射,使所述高电阻一硅化二镍转化为低电阻的硅化镍。
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号