存储元件、堆叠、存储矩阵和用于运行的方法

摘要

本发明涉及存储元件、可使用所述存储元件的堆叠和存储矩阵、用于运行存储矩阵的方法以及用于确定在由存储元件组成的装置中逻辑运算的真值的方法。存储元件具有至少一个第一稳定状态0和第二稳定状态1。通过施加第一写电压V0，可以使所述存储元件转变到高欧姆状态0和通过施加第二写电压V1使所述存储元件转变到同样高欧姆状态1。在施加在数值上小于写电压V0和V1的读电压VR时，存储元件显示不同的电阻值。所述存储元件在出现在存储矩阵中的寄生电流路径中作为高欧姆电阻起作用，而在此原则上不限制于单极切换。阐明了一种方法，利用所述方法可以使由根据本发明的存储元件组成的装置成为用于任意逻辑运算的门电路。

主权项

具有至少一个第一稳定状态0和第二稳定状态1的存储元件，所述存储元件通过施加第一写电压V0能转变到状态0和通过施加第二写电压V1能转变到状态1，其中两个状态0和1在施加在数值上小于写电压V0和V1的读电压VR时以存储元件的不同的电阻值表现出来，其特征在于，所述存储元件具有至少两个存储单元A和B的串联电路，所述存储单元分别具有带有较高电阻的稳定状态A0或B0和带有较低电阻的稳定状态A1或B1。