| 发明名称 | 通过形成牺牲结构而提供半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了通过形成牺牲结构而提供半导体结构的方法。一种用于提供半导体结构的方法包括通过从衬底的第一主表面蚀刻多个沟而形成牺牲结构。所述方法还包括利用覆盖材料覆盖在所述第一主表面的所述多个沟以限定所述衬底内的腔；从与所述第一主表面相对的第二主表面去除所述衬底的一部分达到所述多个沟存在的深度；以及从所述衬底的所述第二主表面蚀刻掉所述牺牲结构。 | ||
| 申请公布号 | CN102442634A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201110295461.2 | 申请日期 | 2011.09.30 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | B.宾得;B.菲斯特;T.考奇;S.科尔布;M.米勒 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;G01L9/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马永利;王忠忠 |
| 主权项 | 一种提供半导体结构的方法，包括：通过从衬底的第一主表面蚀刻多个沟而形成牺牲结构；利用覆盖材料覆盖在所述第一主表面的所述多个沟以限定所述衬底内的腔；从与所述第一主表面相对的第二主表面去除所述衬底的一部分达到所述多个沟存在的深度；以及从所述衬底的所述第二主表面蚀刻掉所述牺牲结构。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||