一种纳米级PSS衬底制作方法

摘要

本发明公开一种纳米级PSS衬底制作方法，在蓝宝石衬底上沉积一层SiO2膜，在SiO2膜沉积一层金属Al，用一种弱碱性的化学溶液，在SiO2膜表面上生成均匀的铝氧化物纳米颗粒，用干法刻蚀去掉未被铝氧化物挡住的SiO2膜，这样将均匀的铝氧化物纳米颗粒图形转移到SiO2膜层，然后放入高温的硫酸与磷酸混合溶液中腐蚀，再一次将均匀纳米状的SiO2颗粒图形转移到蓝宝石衬底上，最后用HF酸去掉SiO2膜，从而形成纳米级PSS衬底。此发明可以改善LED芯片外量子效应，制作成本低，生产高效率。

主权项

一种纳米级PSS衬底制作方法，制备步骤如下：    (a) 蓝宝石衬底上沉积一层SiO2膜；(b) 在SiO2膜上蒸发一层金属铝；(c) 将步骤b蒸发一层金属铝的衬底浸泡在弱碱性的化学溶液中，进行化学作用，SiO2膜表面上留下均匀的铝氧化物纳米颗粒；(d)在c步骤化学作用后，再干法刻蚀掉未能被铝氧化物纳米颗粒挡住的SiO2膜, 将铝氧化物颗粒图形转移到SiO2膜层，形成纳米状的SiO2颗粒；(e)在d步骤后再放入高温的硫酸与磷酸混合溶液中腐蚀掉未被SiO2颗粒挡住的蓝宝衬底；(f)在e步骤后用HF酸去掉SiO2掩膜，形成纳米级PSS衬底。