| 发明名称 | PVD假片的回收方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及PVD假片的回收方法。本发明提供的PVD假片的回收方法包括如下步骤：将表面沉积一层铝合金膜的PVD假片浸入96-97％的H2SO4与30-32％的H2O2按20∶1-5体积比混合的混合液中，70℃-110℃条件下，浸泡2-3小时，浸入2％-49％的HF中以去除氧化层。利用本发明所提供的PVD假片回收方法，对表面沉积一层铝合金膜的PVD假片进行回收的产物可以继续作为PVD假片使用，大大降低了晶圆代工生产的成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102443769A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201010509219.6 | 申请日期 | 2010.10.11 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 梁欣;李冠欣;陈志新;崔晓娟 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23F1/20(2006.01)I;C23F1/12(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | PVD假片的回收方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤1.将表面沉积一层铝合金膜的PVD假片浸入具有96‑97％的H2SO4与30‑32％的H2O2按20∶1‑5体积比混合的混合液相当的H2SO4与H2O2终浓度的液体中，70℃‑110℃条件下，浸泡2‑3小时，得圆片1；步骤2.将圆片1浸入2％‑49％的HF中以去除氧化层，得圆片2。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||