| 发明名称 | 互连结构的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种互连结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有低K介质层；对所述半导体衬底和低K介质层进行退火工艺；在退火后的低K介质层上形成硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，在退火后的衬底和低K介质层内形成互连结构。本发明减小了互连结构的电阻，减小了器件的RC时间常数，提高了器件的性能，满足了工艺要求。 | ||
| 申请公布号 | CN102446817A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201010509437.X | 申请日期 | 2010.10.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 陈碧钦;何伟业;聂佳相;孔祥涛 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种互连结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有低K介质层；对所述半导体衬底和低K介质层进行退火工艺；在退火后的低K介质层上形成硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，在退火后的衬底和低K介质层内形成互连结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||