| 发明名称 | 一种基于双端口SRAM的故障注入方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于双端口SRAM的故障注入方法，包括：在SRAM第一端口的编码器后设置一个第一编码选择器；在第二端口的编码器后设置一个第二编码选择器；以及在SRAM全局设置一个外部控制信号TEST施加到第一编码选择器和第二编码选择器上。本发明提供的在片内实现故障注入的方法，片外只需一个控制信号控制即可，无需引入其他外部注入信号，且只占用很少的内部芯片面积，能快捷地实现故障注入测试。同时，由于该方法只是逻辑等效故障注入，并非直接注入错误，因此减小了测试功耗。另外，该方法测试操作简单，快速，具有低成本，高测试覆盖率的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN102446559A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201110261295.4 | 申请日期 | 2011.09.06 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 杨献;王雷;蒋见花;刘海南;黑勇;周玉梅 |
| 分类号 | G11C29/08(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种基于双端口SRAM的故障注入方法，其特征在于，该方法包括：在SRAM第一端口的编码器后设置一个第一编码选择器(11)；在第二端口的编码器后设置一个第二编码选择器(12)；以及在SRAM全局设置一个外部控制信号TEST施加到第一编码选择器(11)和第二编码选择器(12)上。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||