提高附体动态随机存储单元写入速度的侧墙刻蚀方法

摘要

本发明提高附体动态随机存储单元写入速度的侧墙刻蚀方法在侧墙（Spacer）刻蚀工艺中，采取斜角引入刻蚀等离子体的方法，使得刻蚀后漏端的侧墙宽度减小，而源端的侧墙宽度增大，在接下来的源漏高掺杂注入和退火工艺后，漏端的掺杂离子离沟道距离被拉近，源端的掺杂离子与沟道和衬底的距离被拉远，一方面提高了漏端沟道中的纵向电场，增大了衬底电流，另一方面降低了积聚载流子从源端的泄漏速度，从而提高了浮体效应存储单元的写入速度。

主权项

一种提高附体动态随机存储单元写入速度的侧墙刻蚀方法，在SOI硅基板上形成有至少一晶体管，在晶体管上淀积一侧墙层；其特征在于，包括以下步骤：    刻蚀去除部分侧墙层，仅保留覆盖在第一晶体管的栅极侧壁的部分侧墙层作为栅极侧壁层，刻蚀过程中使等离子体的方向与垂直硅片表面方向成α夹角，以使得刻蚀之后栅极两侧的侧墙厚度不同，之后，进行漏源掺杂工艺。