| 发明名称 | 在SONOS非挥发性存储器工艺中嵌入高压器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在SONOS非挥发性存储器工艺中嵌入高压器件的方法，其为将高压器件区的栅氧化层的生长放在所有低压器件及SONOS非挥发性存储器制造工艺之前；在ONO介质层形成之后的刻蚀步骤中，同时去除高压器件区栅氧化层上的ONO介质层。采用本发明的方法，实现了将高压器件在SONOS非挥发性存储器工艺中的嵌入。 | ||
| 申请公布号 | CN102446850A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201010503966.9 | 申请日期 | 2010.10.12 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 熊涛;罗啸;陈瑜 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种在SONOS非挥发性存储器工艺中嵌入高压器件的方法，其特征在于：将高压器件区的栅氧化层的生长放在所有低压器件及SONOS非挥发性存储器制造工艺之前；在ONO介质层形成之后的刻蚀步骤中，同时去除高压器件区栅氧化层上的ONO介质层。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||