发明名称 | 多晶硅薄膜检查方法及其装置 | ||
摘要 | 本发明提供一种多晶硅薄膜检查方法及其装置。为了检测出多晶硅薄膜表面的图像并观察多晶硅薄膜表面的状态,从而能够检查多晶硅薄膜的结晶状态,在多晶硅薄膜检查装置的结构中具备:光照射单元,其向在表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光;拍摄单元,其拍摄由光照射单元照射到基板的光中透射过多晶硅薄膜的光或者由多晶硅薄膜规则反射的光附近的来自多晶硅薄膜的散射光的图像;以及图像处理单元,其对由该拍摄单元拍摄得到的散射光的图像进行处理,从而检查多晶硅薄膜的结晶状态。 | ||
申请公布号 | CN102446784A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
申请号 | CN201110303274.4 | 申请日期 | 2011.09.29 |
申请人 | 株式会社日立高新技术 | 发明人 | 岩井进;村松刚;荒木正树;山口清美 |
分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 曾贤伟;曹鑫 |
主权项 | 一种多晶硅薄膜检查装置,其特征在于,具备:光照射单元,其向在表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光;第一拍摄单元,其拍摄由该光照射单元照射到所述基板的光中透射过所述多晶硅薄膜的光或者由所述多晶硅薄膜反射的光附近的来自所述多晶硅薄膜的散射光的图像;第二拍摄单元,其拍摄产生于由该光照射单元照射光的所述多晶硅薄膜的一次衍射光的图像;以及图像处理单元,其对由该第一拍摄单元拍摄得到的所述散射光的图像和由所述第二拍摄单元拍摄得到的所述一次衍射光的图像进行处理,从而检查所述多晶硅薄膜的结晶状态。 | ||
地址 | 日本东京都 |