Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Es wird ein Halbleiterbauteil vorgeschlagen, umfassend: ein Grundsubstrat; eine auf dem Grundsubstrat gebildete Halbleiterschicht mit einem Mesa-Vorsprung, der eine Aufnahmenut umfasst; eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode, die voneinander beabstandet auf der Halbleiterschicht angeordnet sind; wobei die Source-Elektrode einen Source-Abschnitt und die Drain-Elektrode einen Drain-Abschnitt aufweist; und eine von der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode isolierte Gate-Elektrode mit einer vertieft in der Aufnahmenut angeordneten Vertiefung, wobei der Mesa-Vorsprung eine Supergitterstruktur aufweist umfassend wenigstens eine Rinne an einer Zwischenfläche zwischen dem Mesa-Vorsprung und der Source-Elektrode und zwischen dem Mesa-Vorsprung und der Drain-Elektrode, und wobei der Source-Abschnitt und der Drain-Abschnitt in der Rinne aufgenommen sind.