发明名称 Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
摘要 Es ist eine Vorrichtung zum Behandeln von Substraten beschrieben, die ein Gehäuse, das im Inneren eine Prozesskammer bildet aufweist. Die Vorrichtung weist wenigstens einer Durchgangsöffnung im Gehäuse, wenigstens eine Dichtungsanordnung im Bereich der Durchgangsöffnung, um die Prozesskammer zur Umgebung hin abzudichten und wenigstens einen Gaseinlass benachbart zur wenigstens einen Dichtungsanordnung auf. Der Gaseinlass ist so angeordnet, dass hieraus austretendes Gas zwischen der Dichtung und einem Gas in der Prozesskammer, insbesondere reaktiven Gasspezies, eine Gasbarriereschicht bildet. Ferner ist eine Vorrichtung zum Behandeln von Substraten mit einem Gehäuse vorgesehen, das im Inneren eine Prozesskammer bildet, wobei das Gehäuse aus wenigstens zwei, vorzugsweise drei, die Prozesskammer radial umgebenden Seitenwandteilen aufgebaut ist. Wenigstens eine radial umlaufende Dichtungsanoe vorgesehen und zwischen der wenigstens einen umlaufenden Dichtungsanordnung und der Prozesskammer ist wenigstens eine Gasführung vorgesehen, welche geeignet ist eine Gasbarriereschicht zwischen Dichtungsanordnung und Prozesskammer zu bilden.
申请公布号 DE102010050258(A1) 申请公布日期 2012.05.03
申请号 DE201010050258 申请日期 2010.11.02
申请人 HQ-DIELECTRICS GMBH 发明人 GSCHWANDTNER, ALEXANDER, DR.;NIES, JUERGEN, DR.;BECKMANN, WILHELM
分类号 H01J37/32;C23C8/36;H05H1/46 主分类号 H01J37/32
代理机构 代理人
主权项
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