发明名称 Halbleitergehäuse und Verfahren, dieselben herzustellen
摘要 Es werden Halbleitergehäuse und ein Verfahren, dieselben herzustellen, zur Verfügung gestellt. Das Halbleitergehäuse weist einen Halbleiterchip mit einer Bondinsel, eine Metallleitung, die elektrisch mit dem Halbleiterchip verbunden ist und einen Anschluss hat, der einen externen Anschluss kontaktiert, eine Isolationsschicht, die die Metallleitung bedeckt und eine Öffnung hat, die den Anschluss definiert, und eine Abformschicht auf, die den Halbleiterchip abformt, wobei die Abformschicht ein Aussparungsmuster aufweist, welches die Bondinsel offen lässt und sich von der Bondinsel zu dem Anschluss erstreckt, und die Metallleitung in dem Aussparungsmuster eingebettet ist, um die Bondinsel zu kontaktieren.
申请公布号 DE102011054012(A1) 申请公布日期 2012.05.03
申请号 DE20111054012 申请日期 2011.09.28
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 PARK, SANGWOOK;LEE, JONGGI;LIM, WONCHUL
分类号 H01L23/045;H01L21/52 主分类号 H01L23/045
代理机构 代理人
主权项
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