发明名称 |
四进制电存储材料及其制备和应用 |
摘要 |
本发明涉及一种电存储材料,具体公开了一种四进制电存储材料及其制备和应用,所述四进制电存储材料的化学结构式如下所示:式中,所述R和R*选自:卤素、硝基或甲氧基中的一种;其中,R1选自:C1~C6的烷基或苯基中的一种。由于本发明所述四进制电存储材料的应用,本发明成功制得四进制数据存储器件,同时,本发明中所涉及的有机材料合成简单,器件制作工艺成熟,器件性能稳定,在单位密度内的数据存储量将比基于“0”,“1”和“2”三进制数据存储呈指数级增长,因此在下一代的超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。 |
申请公布号 |
CN102437284A |
申请公布日期 |
2012.05.02 |
申请号 |
CN201110444853.0 |
申请日期 |
2011.12.27 |
申请人 |
苏州大学 |
发明人 |
路建美;李华 |
分类号 |
H01L51/00(2006.01)I;C07C317/32(2006.01)I;C07C315/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/00(2006.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 |
代理人 |
陶海锋 |
主权项 |
1.一种四进制电存储材料,其特征在于,所述四进制电存储材料的化学结构通式如下所示:<img file="FDA0000125627050000011.GIF" wi="1272" he="183" />式中,所述R和R<sup>*</sup>分别选自:<img file="FDA0000125627050000012.GIF" wi="167" he="126" />卤素、硝基或甲氧基中的一种;其中,R<sub>1</sub>选自:C1~C6的烷基或苯基中的一种;并且R和R<sup>*</sup>不同。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号 |