发明名称 一种硅酸盐长余辉荧光粉及其制备方法
摘要 本发明涉及一种硅酸盐长余辉荧光粉,其成分为Na5Y1-xREIIIxZrSi6O18,其中,REIII为稀土离子La3+、Ce3+、Pr3+、Nd3+、Sm3+、Eu3+、Gd3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+、Yb3+、Lu3+中的至少一种,x为稀土离子REIII中的至少一种掺杂的摩尔百分比系数,0≤x≤1.0。按比例准确称量原料,研细混匀后将混合原料在300~1000℃预烧烧结1~10小时,冷却后取出研磨,再次充分混合,置于1200~1500℃的温度下煅烧1~10小时,即得所需产品。本发明的硅酸盐长余辉材料具有良好的化学稳定性和热稳定性。本发明制造方法简单,不需在还原气氛之中煅烧,无废水废气排放,环境友好,重现性好,有利于工业化生产。
申请公布号 CN102433121A 申请公布日期 2012.05.02
申请号 CN201110411788.1 申请日期 2011.12.12
申请人 苏州大学 发明人 黄彦林;朱睿;王佳宇;杜福平;韦之豪;袁蓓玲
分类号 C09K11/79(2006.01)I 主分类号 C09K11/79(2006.01)I
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人 陶海锋
主权项 一种硅酸盐长余辉荧光粉,其特征在于:它的化学式为Na5Y1‑xREIIIxZrSi6O18,其中,REIII为稀土离子镧离子La3+、铈离子Ce3+、镨离子Pr3+、钕离子Nd3+、钐离子Sm3+、铕离子Eu3+、钆离子Gd3+、铽离子Tb3+、镝离子Dy3+、钬离子Ho3+、铒离子Er3+、铥离子Tm3+、镱离子Yb3+、镥离子Lu3+中的至少一种,x为稀土离子REIII中的至少一种掺杂取代钇离子Y3+的摩尔百分比系数,0≤x≤1.0。
地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号