成膜方法和成膜装置

摘要

本发明提供一种成膜方法和成膜装置。其通过在反应速率控制区域引起成膜反应，即使是径深比大的接触孔也能够更薄地形成覆盖率良好的钛膜，降低接触孔的电阻。该成膜装置包括：基座(112)，用于载置基板(W)；簇射头(120)，用于将处理气体供给到处理室(111)内；高频电源(143)，用于以规定的功率将用于生成等离子体的高频电供给于簇射头；排气装置(152)，用于对处理室内进行排气而使处理室内减压到规定的压力；控制部(190)，其通过对还原气体的流量、处理室内的压力、高频电的功率中的任意一种条件进行改变，对上述反应速率控制区域进行控制，使得欲应用于钛膜的成膜处理中的成膜气体的流量进入成膜处理的反应速率控制区域。

主权项

一种成膜方法，其是通过将包括含有钛的成膜气体与还原气体在内的处理气体供给到处理室内而生成等离子体、从而在形成有接触孔的被处理基板上形成钛膜的方法，其特征在于，通过对上述还原气体的流量、上述处理室内的压力、为了生成上述等离子体而施加于电极的高频电的功率中的任意一种条件进行改变，对反应速率控制区域进行控制，使得欲应用于上述钛膜的成膜处理中的上述成膜气体的流量进入上述成膜处理的上述反应速率控制区域。