等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法和等离子体CVD装置

摘要

本发明提供等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法和等离子体CVD装置。使用等离子体处理装置，通过微波使已导入处理室内的含氮气体和含硅气体等离子体化，在利用该等离子体在被处理基板的表面上沉积氮化硅膜时，向载置台供给高频电力，其中，该等离子体处理装置设置有能够真空排气的处理室、在处理室内载置被处理体的载置台、产生微波的微波产生源、具有多个缝隙并通过上述缝隙将微波产生源产生的微波导入上述处理室内的平面天线、将成膜原料气体供向处理室内的气体供给机构、和向载置台供给高频电力的高频电源。

主权项

一种等离子体CVD方法，其特征在于，包括：准备等离子体处理装置的工序，该等离子体处理装置设置有：能够真空排气的处理室、在所述处理室内载置被处理体的载置台、产生微波的微波产生源、具有多个缝隙并通过所述缝隙将所述微波产生源所产生的微波导入所述处理室内的平面天线、将成膜原料气体供向所述处理室内的气体供给机构、和向所述载置台供给高频电力的高频电源；将被处理基板载置在所述载置台上的工序；将含氮气体和含硅气体导入所述处理室内，利用所述微波使这些气体等离子体化，通过该等离子体在被处理基板的表面上沉积氮化硅膜的工序；和在沉积所述氮化硅膜时，向所述载置台供给高频电力的工序，所述高频电力的功率密度为0.0032～1.59W/cm2，以0.1Pa以上53Pa以下的处理压力沉积所述氮化硅膜。