| 发明名称 | 立体集成电路的验证方法 | ||
| 摘要 | 一种立体集成电路(3D-IC)的验证方法。对于立体集成电路的每一层级，定义对准标记(alignment mark)、硅穿孔(TSV)及凸块于虚拟层(dummylayer)上。接着，分别验证每一层级的芯片、对准标记、硅穿孔及凸块。提取所有层级的虚拟层，并将其予以整合。接下来，垂直地验证整合的虚拟层。 | ||
| 申请公布号 | CN101866371B | 申请公布日期 | 2012.05.02 |
| 申请号 | CN200910132737.8 | 申请日期 | 2009.04.16 |
| 申请人 | 奇景光电股份有限公司 | 发明人 | 吴展良 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种立体集成电路的验证方法，包含：提供至少一虚拟层给该立体集成电路的每一层级，并于该虚拟层上定义至少一对准标记、硅穿孔及凸块；分别验证每一层级的芯片，该验证包含验证该对准标记、硅穿孔及凸块；提取所有层级的该虚拟层；根据该虚拟层的对准标记，整合所提取的虚拟层；以及验证所整合的虚拟层。 | ||
| 地址 | 中国台湾台南县 | ||