制备高纯度多晶硅的方法和设备

摘要

在一个实施方案中，本发明的方法包括将至少一种硅源气体和多晶硅的硅籽晶供应至反应区段；将所述的至少一种硅源气体在反应区段内保持足够温度和停留时间，使得至少一种硅源气体的热分解的反应平衡在反应区段内基本上达到，从而制备元素硅；其中所述的至少一种硅源气体的分解通过以下化学反应进行：4HSiCl3←→Si+3SiCl4+2H2，其中所述的足够温度是指范围为约600摄氏度至约1000摄氏度的温度；并且c)将足够量的所述的多晶硅的硅籽晶保持在反应区段，以导致所述的元素硅沉积于多晶硅的硅籽晶上，从而制备包覆的粒子。

主权项

一种方法，包括：a)将至少一种硅源气体和多晶硅的硅籽晶供应至反应区段；b)将所述的至少一种硅源气体在反应区段内保持足够温度和停留时间，使得所述的至少一种硅源气体的热分解的反应平衡在反应区段内基本上达到，从而制备元素硅；i)其中所述的至少一种硅源气体的分解通过以下化学反应进行：4HSiCl3←→Si+3SiCl4+2H2ii)其中所述的足够温度是指范围为约700摄氏度至约1000摄氏度的温度；iii)其中所述的足够停留时间少于约5秒，其中所述的停留时间定义为在足够温度下空隙体积除以总气体流量；以及c)将足够量的所述的多晶硅的硅籽晶保持在所述的反应区段，以导致所述的元素硅沉积于所述的多晶硅的硅籽晶上，从而制备包覆的颗粒。