一种IGBT用8英寸单晶硅片的酸腐蚀工艺

摘要

本发明涉及一种IGBT用8英寸单晶硅片的酸腐蚀工艺。本工艺对单晶硅片进行酸腐蚀的酸腐蚀液包括浓度为49%HF、浓度为63%HNO3及浓度为96%CH3COOH，并以1：（1.8～4.3）：（1.0~5.8）的配比进行混合；酸腐蚀液温度为16～23℃；酸腐蚀液循环量为180～400L；在酸腐蚀一批单晶硅片之后，酸腐蚀液的排液量为2～5L，酸腐蚀液的补液量为1～4L。采用本工艺，可以稳定量产TTV增加值小于1.5μm，TIR增加值小于1.5μm，表面良好，去除量散差小于1μm的8英寸酸腐蚀硅片，产品合格率在98%以上，将满足市场IGBT器件对高品质8英寸单晶硅片的需求。

主权项

一种IGBT用8英寸单晶硅片的酸腐蚀工艺，其特征在于，对单晶硅片进行酸腐蚀的酸腐蚀液包括浓度为49%HF、浓度为63%HNO3及浓度为96%CH3COOH，并以1：（1.8～4.3）：（1.0~5.8）的配比进行混合；酸腐蚀液温度为16～23℃；酸腐蚀液循环量为180～400L；在酸腐蚀一批单晶硅片之后，酸腐蚀液的排液量为2～5L，酸腐蚀液的补液量为1～4L。