| 发明名称 | SiC单晶的制造方法 | ||
| 摘要 | 向Si熔融液中添加5至30原子％的Ti和1至20原子％的Sn或1至30原子％的Ge，在保持从Si熔融液内部向Si熔融液表面温度下降的温度梯度的同时，将SiC籽晶保持在石墨坩埚中紧邻Si熔融液表面的下方，由此由SiC籽晶生长SiC单晶。 | ||
| 申请公布号 | CN101680113B | 申请公布日期 | 2012.05.02 |
| 申请号 | CN200880019631.0 | 申请日期 | 2008.06.10 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 坂元秀光 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B9/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 杨海荣;穆德骏 |
| 主权项 | 一种SiC单晶的制造方法，其特征在于包括：向Si熔融液中添加Ti和选自Sn与Ge中的一种元素；和在保持从Si熔融液内部向Si熔融液表面温度下降的温度梯度的同时，将SiC籽晶保持在石墨坩埚中紧邻Si熔融液表面的下方，由此由SiC籽晶生长SiC单晶，其中Si熔融液中Ti的添加量为5至30原子％，Si熔融液中Ge的选择性添加量为1至30原子％，和Si熔融液中Sn的选择性添加量为1至20原子％。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||