发明名称 |
一种用于MLC闪存的灵敏放大器和位线快速充电电路 |
摘要 |
本发明公开了一种用于MLC闪存的灵敏放大器和位线快速充电电路,所述位线快速充电电路,用在多层单元闪存的灵敏放大器中,该电路包括与所述阻抗器件并联的ZNMOS晶体管Z3,其栅极与所述反相放大器的输出端相连。本发明通过该ZNMOS晶体管,以在建立过程中旁路阻抗器件的高阻抗,从而加快BL的充电过程;同时避免增加快速充电器件NMOS管后,电压输出端SAIN的电压易被拉到和BL电压很接近的情形,使BL的电压和SAIN端的电压在一次电平建立过程中即可各自稳定在其平衡状态,从而减少了对BL充电的整体时间,使灵敏放大器的整体性能得到了提高。 |
申请公布号 |
CN101800081B |
申请公布日期 |
2012.05.02 |
申请号 |
CN200910077691.4 |
申请日期 |
2009.02.11 |
申请人 |
北京兆易创新科技有限公司 |
发明人 |
苏志强 |
分类号 |
G11C16/24(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I;H03K19/0944(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/24(2006.01)I |
代理机构 |
北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 |
代理人 |
苏培华 |
主权项 |
一种位线快速充电电路,用在多层单元闪存的灵敏放大器中,该电路包括开关器件、用于实现电流电压转换的阻抗器件,以及与存储单元的位线相连的充电器件,所述充电器件包括ZNMOS晶体管Z2和反相放大器,所述阻抗器件的一端与开关器件相连,另一端与ZNMOS晶体管Z2的漏极相连;所述ZNMOS晶体管Z2的源极与所述存储单元的位线相连,栅极与反相放大器的输出端相连;所述反相放大器的输入端与存储单元的位线相连;电压输出端连接在所述阻抗器件和ZNMOS晶体管Z2的漏极之间,其特征在于,该电路还包括:与所述阻抗器件并联的ZNMOS晶体管Z3,其栅极与所述反相放大器的输出端相连;其中,所述ZNMOS晶体管是一种NMOS晶体管,所述ZNMOS晶体管的阈值电压低于一般NMOS晶体管的阈值电压。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华科技园学研大厦B座301室 |