基于SOI硅片的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成方法及芯片

摘要

一种基于SOI硅片的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成方法及芯片，SOI基片上具有第一区域及第二区域，SOI基片上位于第二区域上的器件层作为电容的一极，首先在所述第一区域的器件层上生成集成电路，接着在所述第二区域的器件层上采用低于400℃的低温工艺生成牺牲层，并采用低温工艺在所述牺牲层上形成导电膜，最后将腐蚀液自所述导气孔进入以部分腐蚀所述牺牲层后形成由所述导电膜作为电容另一极的电容式微硅麦克风，如此可减小芯片尺寸，降低制造成本，同时可避免采用高温工艺来减小作为振动模的器件层的应力，也可避免采用工艺复杂且重复性不佳的复合振动模方式来减小应力。

主权项

一种基于SOI硅片的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成方法，其特征在于包括步骤：1)提供一SOI基片，其一表面具有用于制作集成电路的第一区域及用于制作电容式微硅麦克风的第二区域；2)在处于所述第一区域的器件层上生成集成电路；3)在处于所述第二区域的器件层上采用低于400℃的低温工艺生成牺牲层；位于第二区域上的器件层作为电容一极；4)采用低温工艺在所述牺牲层上形成导电膜；5)在所述导电膜进行光刻及腐蚀工艺以形成导气孔；6)在所述SOI基片另一表面相对于第二区域处进行光刻及腐蚀以形成背腔；7)腐蚀液自所述导气孔进入以部分腐蚀所述牺牲层后形成由所述导电膜作为电容另一极的电容微硅麦克风；所述电容微硅麦克风通过导电材料与集成电路连接。