| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括由半导体衬底(4)和多个设置于所述半导体衬底下方的外部连接电极构成的半导体结构(2)。下绝缘膜(1)设置于所述半导体结构的下方和外侧。密封膜(28)设置于所述下绝缘膜上以覆盖所述半导体结构的外围。多个下布线线路(22)设置于所述下绝缘膜下方并分别连接至所述半导体结构的所述外部连接电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101548378B | 申请公布日期 | 2012.05.02 |
| 申请号 | CN200880000828.X | 申请日期 | 2008.08.07 |
| 申请人 | 卡西欧计算机株式会社 | 发明人 | 定别当裕康 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，包括下列步骤：提供具有基板(31)和下绝缘膜(1)的基底衬底；在所述下绝缘膜上固定多个半导体结构(2)，所述半导体结构(2)中的每一个包括半导体衬底(4)和多个设置于所述半导体衬底下方的外部连接电极(13)；在所述下绝缘膜上形成覆盖所述半导体结构的外围的密封膜(28)；从所述下绝缘膜(1)上去除所述基板；在所述下绝缘膜下方形成多个下布线线路(22)，使得所述下布线线路中的每一个连接至每一个所述半导体结构的每一个所述外部连接电极；以及切割在所述半导体结构之间的所述下绝缘膜和所述密封膜，以获得多个半导体器件，其中所述基底衬底还包括形成在所述基板上的保护金属层(35)以及形成在所述保护金属层(35)上的第一基础金属层(23a)，并且所述下绝缘膜(1)形成在所述第一基础金属层上，并且去除所述基板的所述步骤包括去除所述保护金属层(35)的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||