发明名称 | 一种黑硅太阳能电池表面的钝化方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种黑硅太阳能电池表面的钝化方法,属于晶体硅太阳能电池制备技术领域。所述方法包括:向六氟硅酸溶液分别加入二氧化硅粉末、去离子水和硼酸粉末,制备二氧化硅沉积溶液;将扩散后的黑硅硅片浸没入二氧化硅沉积溶液中,在黑硅硅片表面沉积生成一层二氧化硅薄膜。本发明通过液相沉积二氧化硅的方法,在黑硅硅片表面镀上一层均匀的高质量二氧化硅薄膜,从而较好地钝化了黑硅表面的悬挂键,有效地提高了黑硅太阳能电池的少子寿命和开路电压,提高了黑硅太阳能电池的光电转换效率。 | ||
申请公布号 | CN102437236A | 申请公布日期 | 2012.05.02 |
申请号 | CN201110380033.X | 申请日期 | 2011.11.25 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 夏洋;刘邦武;钟思华;李超波;李勇滔 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
主权项 | 一种黑硅太阳能电池表面的钝化方法,其特征在于,所述方法包括:向六氟硅酸溶液分别加入二氧化硅粉末、去离子水和硼酸粉末,制备二氧化硅沉积溶液;将扩散后的黑硅硅片浸没入所述二氧化硅沉积溶液中,在所述黑硅硅片表面沉积生成一层二氧化硅薄膜。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |