沟槽刻蚀方法以及半导体器件制造方法

摘要

本发明提供了一种沟槽刻蚀方法以及半导体器件制造方法。根据本发明的沟槽刻蚀方法包括：衬垫氧化层形成步骤，用于在衬底上形成衬垫氧化层；硬掩膜形成步骤，用于在所述衬垫氧化层上形成硬掩膜；光刻胶层形成步骤，用于在所述硬掩膜上形成光刻胶层；光刻步骤，用于对光刻胶层进行光刻以得到光刻胶层的图案；硬掩膜刻蚀步骤，用于利用光刻步骤所得到的光刻胶层的图案对所述硬掩膜进行刻蚀以形成硬掩膜图案；光刻胶层去除步骤，利用氧气去除所述光刻胶层；以及沟槽刻蚀步骤，用于利用硬掩膜刻蚀步骤刻蚀出的所述硬掩膜图案来利用氧气刻蚀沟槽；其中，在通过控制所述沟槽刻蚀步骤中的氧气流量来控制所述沟槽刻蚀步骤所刻蚀出来的沟槽的关键尺寸。

主权项

一种沟槽刻蚀方法，其特征在于包括：衬垫氧化层形成步骤，用于在衬底上形成衬垫氧化层；硬掩膜形成步骤，用于在所述衬垫氧化层上形成硬掩膜；光刻胶层形成步骤，用于在所述硬掩膜上形成光刻胶层；光刻步骤，用于对光刻胶层进行光刻以得到光刻胶层的图案；硬掩膜刻蚀步骤，用于利用光刻步骤所得到的光刻胶层的图案对所述硬掩膜进行刻蚀以形成硬掩膜图案；光刻胶层去除步骤，利用氧气去除所述光刻胶层；以及沟槽刻蚀步骤，用于利用硬掩膜刻蚀步骤刻蚀出的所述硬掩膜图案来利用氧气刻蚀沟槽；其中，在通过控制所述沟槽刻蚀步骤中的氧气流量来控制所述沟槽刻蚀步骤所刻蚀出来的沟槽的关键尺寸。