| 发明名称 | 具有烧结的金属连接的功率半导体模块及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有烧结的金属连接的功率半导体模块及制造方法。该功率半导体模块具有衬底(102)、至少一个功率半导体器件(104)和至少一个引线框元件(106)。本发明还涉及一种制造这种功率半导体模块(100)的方法。按照本发明，该至少一个第一引线框元件和该功率半导体器件之间的连接以及该第一引线框元件和该衬底之间的连接包括烧结金属连接(110)，优选烧结银连接。 | ||
| 申请公布号 | CN102437140A | 申请公布日期 | 2012.05.02 |
| 申请号 | CN201110364078.8 | 申请日期 | 2011.09.08 |
| 申请人 | 文科泰克控股公司 | 发明人 | P·桑泰默;A·奥里 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/498(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种功率半导体模块，具有衬底(102)、至少一个功率半导体器件(104)和至少一个第一引线框元件(106)，其中该至少一个第一引线框元件(106)在第一表面上连接到该功率半导体器件(104)且在与该第一表面相反的第二表面上连接到该衬底(102)，其中该至少一个第一引线框元件和该功率半导体器件之间的连接以及该第一引线框元件和该衬底之间的连接包括烧结金属连接(110)。 | ||
| 地址 | 卢森堡卢森堡 | ||