发明名称 太阳能电池、包含该太阳能电池的太阳能电池组件及其制造方法和接触膜制造方法
摘要 本发明涉及一种太阳能电池(1),它包括以下几层:a)半导电层(2),它具有第一表面(4)和第二表面(5),而在第一表面(4)上设有多个第一类接触点(6)和第二类接触点(7),二类接触点具有相反的极性;b)第一层单层或多层穿孔薄膜(8,28)是由不导电材料制成的,它具有多个第一类孔(9);c)结构化导电层(10),位于背对半导体层(2)的穿孔薄膜(8,28)的表面;穿孔薄膜(8,28)和半导体层(2)的相对位置是这样的:至少有一部分第一类的洞(9)和第一类接触点(6)以及第二类接触点(7)重叠,其中至少有一部分第一类接触点(6)和第二接类触点(7)通过无焊剂电连接(11)与结构化导电层(10)连接。本发明还涉及一种包含多个太阳能电池的太阳能电池组件,以及生产太阳能电池的方法和生产一种接触薄膜的方法。
申请公布号 CN102439729A 申请公布日期 2012.05.02
申请号 CN201080020248.4 申请日期 2010.05.03
申请人 库迈思控股有限公司 发明人 M·塞德拉切克;J·穆勒;C·梅西耶
分类号 H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/0224(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;张会华
主权项 一种太阳能电池(1),它包括以下几层:a)半导电层(2),它具有第一表面(4)和第二表面(5),而在第一表面(4)上设有多个第一类接触点(6)和第二类接触点(7),二类接触点具有相反的极性;b)第一层单层或多层穿孔薄膜(8,28)是由不导电材料制成的,它具有多个第一类孔(9);c)结构化导电层(10),位于背对半导体层(2)的穿孔薄膜(8,28)的表面;穿孔薄膜(8,28)和半导体层(2)的相对位置是这样的:至少有一部分第一类孔(9)和第一类接触点(6)以及第二类接触点(7)重叠,其特征在于至少有一部分第一类接触点(6)和第二接类触点(7)通过无焊剂电连接(11)与结构化导电层(10)连接。
地址 瑞士迪尔瑞肯