| 发明名称 | 低介电常数材料 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种包括低介电常数材料和添加剂的介电材料。添加剂包括具有Si-X-Si桥的化合物，其中X为1和8之间的碳原子数。添加剂可包括末端Si-CH3基团。包括添加剂的介电材料可用作半导体器件的层间介电(ILD)层。可使用CVD或溶胶-凝胶工艺形成包括添加剂的介电材料。所述添加剂的一个示例为双(三乙氧基硅基)乙烷。 | ||
| 申请公布号 | CN102437143A | 申请公布日期 | 2012.05.02 |
| 申请号 | CN201110294605.2 | 申请日期 | 2011.09.26 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄心岩;罗清郁;陈海清;包天一 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种材料，包括：低介电常数材料；以及添加剂，其中所述添加剂包括具有Si‑X‑Si桥的化合物，其中X为1和8之间的碳原子数。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||