| 发明名称 | 一种制造存储器装置及存储单元的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造存储器装置及存储单元的方法。此处所描述的制造存储器装置的方法包括：形成一底电极；形成一金属-氧化物存储元件其与该底电极电性耦接；裸露该金属-氧化物存储元件至一气体环境包含氮、氢、氦至少一种，其温度超过100℃；以及形成一顶电极于该金属-氧化物存储元件之上。该存储器装置包括多个存储单元位于字线与位线之间。该多个存储单元的存储单元包括一二极管以及一金属-氧化物存储元件可编程至多个电阻状态，其包含一第一电阻状态与一第二电阻状态。此装置还包括偏压电路以施加调整偏压跨越于该多个存储单元中的一个被选取存储单元的该串联安排的该二极管与该存储元件。 | ||
| 申请公布号 | CN102437115A | 申请公布日期 | 2012.05.02 |
| 申请号 | CN201110327204.2 | 申请日期 | 2010.04.29 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 李明道;赖二琨;谢光宇;简维志;叶建宏 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I;H01L27/102(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种制造一存储器装置的方法，其特征在于，该方法包括：形成一底电极；形成一金属‑氧化物存储元件其与该底电极电性耦接；裸露该金属‑氧化物存储元件至一气体环境包含氮、氢、氦至少一种，其温度超过100℃；以及形成一顶电极于该金属‑氧化物存储元件之上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||