| 发明名称 | 相变存储器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种相变存储器及其制作方法。一种相变存储器单元结构，包含有底二极管，设于基材上；加热柄，位于该底二极管上；第一介电层，围绕着该加热柄，其中该第一介电层于该加热柄构成凹陷区域；冠状相变储存盖层，套盖在该加热柄及该第一介电层上；及第二介电层，覆盖该第一介电层及该冠状相变储存盖层，且该第二介电层中于该凹陷区域内形成气室。 | ||
| 申请公布号 | CN101930989B | 申请公布日期 | 2012.05.02 |
| 申请号 | CN200910163306.8 | 申请日期 | 2009.08.11 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 涂丽淑 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人 | 刘云贵 |
| 主权项 | 一种相变存储器单元结构，其特征在于包含：底二极管，设于基材上；加热柄，位于该底二极管上；第一介电层，围绕着该加热柄，该第一介电层于该加热柄周围界定出凹陷区域；冠状相变储存盖层，套盖在该加热柄及该第一介电层上；及第二介电层，覆盖该第一介电层及该冠状相变储存盖层，且该第二介电层中于该凹陷区域内形成气室。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||