| 发明名称 | 外延晶片 | ||
| 摘要 | 本发明涉及外延晶片。假定r(m)表示GaN衬底(10)的半径，t1(m)表示GaN衬底的厚度，h1(m)表示在形成外延晶片(20)之前的GaN衬底(10)的翘曲，t2(m)表示AlxGa(1-x)N层(21)的厚度，h2(m)表示外延晶片的翘曲，a1表示GaN的晶格常数并且a2表示AlN的晶格常数，由下面的表达式1得到的值t1确定为GaN衬底(10)的最小厚度：(1.5×1011×t13+1.2×1011×t23)×{1/(1.5×1011×t1)+1/(1.2×1011×t2)}/{15.96×x×(1-a2/a1)}×(t1+t2)+(t1×t2)/{5.32×x×(1-a2/a1)}-(r2+h2)/2h＝0。形成厚度为至少该最小厚度(t1)且小于400μm的GaN衬底(10)。 | ||
| 申请公布号 | CN102437265A | 申请公布日期 | 2012.05.02 |
| 申请号 | CN201110393534.1 | 申请日期 | 2008.10.06 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 中西文毅;三浦祥纪 |
| 分类号 | H01L33/32(2010.01)I;H01S5/323(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2010.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 韩峰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种外延晶片(20，30)，该外延晶片(20，30)包括GaN衬底(10，31)，形成在所述GaN衬底(10，31)的c面上的AlxGa(1‑x)N层(21，34)和形成在所述AlxGa(1‑x)N层(21，34)上的GaN层(22，35)，其中：所述GaN衬底(10，31)的厚度小于250μm，以及所述外延晶片(20，30)的翘曲不大于100μm。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||