发明名称 |
一种用于非透光切割道中防止光掩模版应力损坏的方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种用于非透光切割道中防止光掩模版应力损坏的方法。本发明公开了一种用于非透光切割道中防止光掩模版应力损坏的方法,通过设置应力阻挡环,能有效降低光掩模版制造过程中或重修过程中外围图形区域产生的应力对套刻标记的影响。 |
申请公布号 |
CN102436134A |
申请公布日期 |
2012.05.02 |
申请号 |
CN201110250282.7 |
申请日期 |
2011.08.29 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
何伟明;邢精成 |
分类号 |
G03F1/42(2012.01)I;G03F1/00(2012.01)I |
主分类号 |
G03F1/42(2012.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
王敏杰 |
主权项 |
一种用于非透光切割道中防止光掩模版应力损坏的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:一光掩膜版上覆盖一薄膜,在该薄膜上设置一器件图形区域,环绕器件图形区域,在薄膜上由内向外顺序依次设置非透光切割道、图像铬保护圈和保护膜框架区域,其中,非透光切割道上至少设置有一套刻标记;步骤S2:在位于图像铬保护圈与器件图形区域之间的薄膜上,环绕每个套刻标记均设置一闭合的阻力缓冲区域;步骤S3:去除阻力缓冲区域中的薄膜至光掩膜版,形成闭合的应力缓冲环。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |