一种减小半导体器件热载流子注入损伤的方法

摘要

本发明提供了一种减小半导体器件热载流子注入损伤的方法，在侧墙（Spacer）刻蚀工艺中，采取斜角引入刻蚀等离子体的方法，使得刻蚀后漏端的侧墙宽度增大，而源端的侧墙宽度减小，在接下来的源漏高掺杂注入和退火工艺后，漏端的掺杂离子离沟道距离被拉远，源端的掺杂离子与沟道和衬底的距离被拉近，在保持沟道有效长度（EffectiveChannelLength）不变的情况下，降低了漏端的纵向电场强度，从而减小了半导体器件热载流子注入的损伤。

主权项

一种减小半导体器件热载流子注入损伤的方法，其特征在于，步骤包括：步骤1，首先通过侧墙沉积在栅极周围形成侧墙薄膜，步骤2，然后对侧墙薄膜进行刻蚀形成侧墙，其中：在侧墙刻蚀工艺中，用于刻蚀的等离子体引入方向与衬底表面不垂直，并且等离子体引入方向由栅极的源端向漏端倾斜；并将栅极顶端和除侧墙外的衬底表面的侧墙薄膜全部去除；步骤3，对与栅极相邻的源端和漏端进行重掺杂，并进行退火工艺。