| 发明名称 | 有机薄膜晶体管和制造其的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种有机薄膜晶体管和制造其的方法。该有机薄膜晶体管具有衬底和位于衬底上的栅电极。栅极绝缘体具有位于栅电极上的包括无机栅极绝缘体和有机栅极绝缘体的叠层结构。有机半导体层位于栅极绝缘体上来与栅电极重叠。因此，形成具有柔性、减小的泄漏电流和低阈值电压的有机薄膜晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN1713409B | 申请公布日期 | 2012.05.02 |
| 申请号 | CN200510079538.7 | 申请日期 | 2005.06.23 |
| 申请人 | 三星移动显示器株式会社 | 发明人 | 具在本;徐旼彻;牟然坤 |
| 分类号 | H01L51/20(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 余朦;王达佐 |
| 主权项 | 1.一种有机薄膜晶体管，包括：衬底；栅电极，设置于所述衬底上；栅极绝缘体，设置于所述栅电极上，具有包括无机栅极绝缘体和有机栅极绝缘体的叠层结构；和有机半导体层，在所述栅极绝缘体上与所述栅电极重叠，其中，所述无机栅极绝缘体的厚度在<img file="FSB00000711086000011.GIF" wi="129" he="53" />和<img file="FSB00000711086000012.GIF" wi="163" he="53" />之间，且所述有机栅极绝缘体的厚度在<img file="FSB00000711086000013.GIF" wi="163" he="53" />至<img file="FSB00000711086000014.GIF" wi="190" he="53" />之间。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||