形成掩模图案的方法

摘要

本发明涉及形成掩模图案的方法。根据本发明，在衬底上形成负性光刻胶层。曝光负性光刻胶层的一些区域。使曝光的负性光刻胶层显影。在含有负性工作光刻胶层的衬底上形成正性光刻胶层。烘焙衬底使得氢气在负性工作光刻胶层的边界部分扩散进入正性光刻胶层。显影其中扩散有氢气的正性光刻胶层。

主权项

一种形成掩模图案的方法，所述方法包括：在衬底上形成负性光刻胶层；曝光所述负性光刻胶层的部分区域；实施第一显影过程，使得所述曝光的负性光刻胶层区域保留，由此形成负性工作光刻胶层；在包括所述负性工作光刻胶层的所述衬底上形成正性光刻胶层；实施烘焙过程，使得氢离子气体在所述负性工作光刻胶层的边界部分扩散进入所述正性光刻胶层的部分区域；和实施第二显影过程，以除去其中扩散有所述氢离子气体的正性光刻胶层的所述区域，由此形成正性工作光刻胶层。