聚羟基烷酸酯/蒙脱土插层型纳米复合材料的制备方法

摘要

本发明涉及聚羟基烷酸酯/蒙脱土插层型纳米复合材料的共混制备。它是一种简便而又高效的共混复合材料的制备方法。本发明所使用制备方法是三步熔融插层法。即先通过引发剂在熔融的条件下制备聚羟基烷酸酯的接枝聚合物，再通过熔融插层法制备出以接枝聚羟基烷酸酯为基体，经有机化改性的纳米蒙脱土为填充成分的填充母料，最后再将此母料与聚羟基烷酸酯熔融共混制备出其复合材料。本发明制备方法简单，所获得的复合材料纳米蒙脱土层间距在1nm-5nm之间，所制得的材料中纳米蒙脱土分散均匀，材料力学性能好，具有较好的耐热性能和成膜性等优点。

主权项

一种聚羟基烷酸酯/蒙脱土插层型纳米复合材料的制备方法，其特征是制备过程包括如下步骤：(1)先通过引发剂在熔融接枝的条件下制备聚羟基烷酸酯的接枝聚合物；(2)将粒径大小为小于或等于0.05μm的蒙脱土进行有机化得到有机改性蒙脱土，再通过熔融插层法制备出以接枝聚羟基烷酸酯为基，有机改性蒙脱土为填充成分的高填充母料；(3)将母料与聚羟基烷酸酯熔融共混制备出其插层型纳米复合材料。