基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器及制备方法

摘要

本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器及其制备方法。该器件是在SOI衬底的顶层硅一侧制作，为一体脊型结构，沿着输入光的方向顺次是输入单模波导1、第一单模渐变波导2、多模波导3、第二单模渐变波导4、输出单模波导5；在各段波导的上表面制备有一层二氧化硅上包层204，在二氧化硅上包层的上面制备有用于热光调制的平行四边形金属电极205。本发明所述基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器采用光刻、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀、生长金属膜和金属膜的腐蚀等工艺制作。该可变光衰减器可以在0～30dB范围内，实现对光信号的连续可变衰减。

主权项

一种基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器，其特征在于：可变光衰减器是在SOI衬底的顶层硅(203)一侧制作，为一体脊型结构，沿着输入光的方向顺次是输入单模波导(1)、第一单模渐变波导(2)、多模波导(3)、第二单模渐变波导(4)、输出单模波导(5)；在各段波导的上表面制备有一层二氧化硅上包层(204)，在二氧化硅上包层的上面制备有用于热光调制的平行四边形金属电极(205)；平行四边形金属电极(205)的一组对边与多模波导(3)的宽度相等且垂直于输入光方向，平行四边形金属电极(205)分为上直角三角形金属电极和下直角三角形金属电极，下直角三角形金属电极制备在多模波导(3)正上方的二氧化硅上包层上，在与输入光垂直的方向上，下直角三角形金属电极的截面渐次变小，上直角三角形金属电极制备在多模波导(3)外侧的二氧化硅上包层上；下直角三角形金属电极的斜边与输入光方向的夹角α＝3°。