一种去除形成镍硅化物后多余镍的方法

摘要

一种去除形成镍硅化物后多余镍的方法，在一硅衬底中形成有半导体器件的有源区以及在硅衬底之上形成有半导体器件的多晶硅栅极，在所述硅衬底上沉积一层接触有源区的镍金属层，并且所述镍金属层还覆盖在所述多晶硅栅极上，之后进行第一次高温热退火处理，形成分别接触有源区和多晶硅栅极的镍硅金属化合物，将所述硅衬底置于一反应腔体中，在腔体内连续通入含碳的混合气体，使其与多余的镍发生反应，生成含镍羰基的反应物，并在腔体内旋转硅衬底以去除部分含镍羰基的反应物，之后再用乙醇对所述含镍羰基的反应物进行清洗，去除剩余的含镍羰基的反应物。

主权项

一种去除形成镍硅化物后多余镍的方法，在一硅衬底中形成有半导体器件的有源区以及在硅衬底之上形成有半导体器件的多晶硅栅极，其特征在于，包括以下步骤：在所述硅衬底上沉积一层接触有源区的镍金属层，并且所述镍金属层还覆盖在所述多晶硅栅极上，之后进行第一次高温热退火处理，形成分别接触有源区和多晶硅栅极的镍硅金属化合物；将所述硅衬底置于一反应腔体中，在腔体内连续通入含碳的混合气体，使其与多余的镍发生反应，生成含镍羰基的反应物，并在腔体内旋转硅衬底以去除部分含镍羰基的反应物。