发明名称 مخزن أشرطة رقيقة بالسيليكون محسنة لإستعمالها في أجهزة فولطاضوئية
摘要 La présente invention porte sur des procédés rentables de dépôt en ligne de couches métalliques semi-conductrices. Plus spécifiquement, la présente invention porte sur des procédés de dépôt pyrolytique en ligne pour le dépôt de couches métalliques semi-conductrices de type p, de type n et de type i dans les processus de production de verre flotté. En outre, la présente invention porte sur des procédés de dépôt pyrolytique en ligne pour la production de couches métalliques semi-conductrices de type p-(i-)n et n-(i-)p à jonction simple, double, triple et multiple. Ces couches métalliques semi-conductrices de type p, de type n et de type i sont utiles dans l'industrie photovoltaïque et intéressantes pour des fabricants de modules photovoltaïques en tant que produits « à valeur ajoutée. »
申请公布号 MA33252(B1) 申请公布日期 2012.05.02
申请号 MA20110034320 申请日期 2011.11.01
申请人 AGC FLAT GLASS NORTH AMERICA, INC;ASAHI GLASS CO., LTD 发明人 CORDING, CHRISTOPHER, R.;SPENCER, MATTHEW;MASUMO, KUNIO
分类号 H01L31/00 主分类号 H01L31/00
代理机构 代理人
主权项
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