发明名称 半导体基板加工设备
摘要 半导体基板加工设备,主要解决了现有技术中每台设备所能搭载的工艺室数量有限,生产成本高的难题。该设备包括第一大气传送区,第二大气传送区和工艺处理模块等三个部分。第一大气传送区进一步包括基板载荷端口和基板传送机械装置。第二大气传送区进一步包括基板放置台,基板传送机械装置和滑动轴。所述滑动轴呈直线状设置在第二大气传送区的两个较短的边之间;所述第二大气传送区的长度越长,其能够连接的工艺处理模块数量也越多。因此,理论上设备可搭载的工艺室数量不受限制。本发明可以用于对半导体基板实施化学气相沉积,原子层沉积和等离子刻蚀等加工工艺。具有可搭载多个工艺室,并且能够被平行使用,可降低半导体器件生产商操作成本的特点。
申请公布号 CN101764050B 申请公布日期 2012.05.02
申请号 CN201010005335.4 申请日期 2010.01.15
申请人 刘忆军;王祥慧 发明人 刘忆军;王祥慧
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/677(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 代理人 甄玉荃
主权项 一种半导体基板加工设备,其特征在于:它包含一个第一大气传送区,其具有一或多个基板载荷端口,和一或多个基板传送装置;以及一个第二大气传送区,其具有一或多个基板放置台,一或多个基板传送装置,和一个滑动轴;以及一或多个工艺处理模块,其具有一或多个缓冲室,和一或多个工艺室,其中所述第二大气传送区连接至所述第一大气传送区上,其中所述工艺处理模块连接至所述第二大气传送区上,并且由所述工艺处理模块中的缓冲室的一侧与所述第二大气传送区相连接,其中所述工艺处理模块中的缓冲室,其具有一或多个基板传送装置,其中第一大气传送区的一或多个所述基板载荷端口排列在其一侧,所述第二大气传送区连接在其另一侧,所述基板传送装置设在上述两侧之间,其中第二大气传送区具有长方形底座,其较短的一边与所述第一大气传送区连接,所述基板放置台靠近所述第一大气传送区,所述滑动轴呈直线状设置在其较短的两个边之间,并且与所述第一大气传送区垂直,所述基板传送装置设置在所述滑动轴上。
地址 200135 上海市浦东新区锦绣路666弄25号2003室