发明名称 |
一种内嵌式存储器及内嵌式存储系统 |
摘要 |
本发明公开了一种内嵌式存储器及内嵌式存储系统。本发明的内嵌式存储器包括片内NAND闪存、闪存控制单元、MMC接口单元、片内闪存接口单元、片外闪存接口。所公开的一种内嵌式存储系统,该系统包括以上所述的内嵌式存储器以及一块或多块扩展NAND闪存。而该扩展NAND闪存通过片外闪存接口与闪存控制单元进行数据交互。本发明的内嵌式存储器及内嵌式存储系统,能够避免因内嵌式存储器上无多余NAND闪存接口连接片外NAND闪存,造成其存储容量扩展性较差。还可以通过多种NAND闪存类型组合,降低产品的整体储存成本。 |
申请公布号 |
CN102436426A |
申请公布日期 |
2012.05.02 |
申请号 |
CN201110345252.4 |
申请日期 |
2011.11.04 |
申请人 |
忆正存储技术(武汉)有限公司 |
发明人 |
蔡孟宏;李宽仁 |
分类号 |
G06F13/16(2006.01)I |
主分类号 |
G06F13/16(2006.01)I |
代理机构 |
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 |
代理人 |
薛祥辉 |
主权项 |
一种内嵌式存储器,包括:闪存控制单元、MMC接口单元,其特征在于,还包括:至少一个片外闪存接口单元;所述MMC接口单元对外向主机提供MMC接口,对内与所述闪存控制单元相连,通过所述MMC接口单元实现主机与所述闪存控制单元的数据交互;所述片外闪存接口单元对外提供与扩展NAND闪存进行数据传输的接口,对内与所述闪存控制单元相连,通过所述片外闪存接口单元实现所述扩展NAND闪存与所述闪存控制单元的数据交互。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市关山一路光谷软件园C3栋301-303 |