| 发明名称 | 一种低骨架连通度钨铜合金材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低骨架连通度钨铜合金及其制备方法，钨铜合金的成分为：W含量为60～80％，Cu含量为20～40％。该方法的具体步骤是：步骤1、选择钨粉的粒径；步骤2、钨粉前处理：按所制钨铜合金的质量百分比计算出钨的质量，并依照步骤1选择的粒径称取钨粉，并对钨粉进行表面预处理；步骤3、制备复合粉末：采用化学镀的方法制备铜包覆钨复合粉末；步骤4、混粉：利用行星球磨机将铜包覆钨复合粉末与一定比例的铜粉进行混合；步骤5、最终烧结：采用放电等离子烧结技术对由步骤4制得的混合粉末进行烧结，得到低骨架连通度的钨铜合金。本发明制备的钨铜合金成分均匀，组织细小，导电导热性能好，热膨胀系数低，同时具有良好的拉伸性能，适用于电火花加工、电子封装及航空航天材料的制备与应用领域。 | ||
| 申请公布号 | CN102433480A | 申请公布日期 | 2012.05.02 |
| 申请号 | CN201110390548.8 | 申请日期 | 2011.12.01 |
| 申请人 | 北京理工大学 | 发明人 | 刘金旭;李树奎;郭文启;呼陟宇;王迎春 |
| 分类号 | C22C27/04(2006.01)I;C22C1/04(2006.01)I;B22F1/02(2006.01)I;C23C18/40(2006.01)I | 主分类号 | C22C27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种低骨架连通度钨铜合金材料，其特征在于：钨铜合金的成分为：W含量为60～80％，Cu含量为20～40％，该合金材料是通过化学镀结合放电等离子烧结制备得到的。 | ||
| 地址 | 100081 北京市海淀区中关村南大街5号 | ||