半导体装置及其制造方法

摘要

本发明揭露了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括形成于半导体衬底上方的阱电阻区域，和形成于所述阱电阻区域内的相互保持距离的两个接触区域，在所述阱电阻区域内的相互保持距离的两个接触区域之间的部分表面区域，还形成有与所述阱电阻区域相反导电性的扩散区域。本发明中的半导体装置及其制造方法具有以下优点：一方面，采用反相掺杂的方式改变了阱电阻的横截面积，实现了在阱电阻占有同等宽度和长度的芯片面积下更加大的电阻值；另一方面，采用反相掺杂的方式不需要修改现有工艺流程，与标准工艺兼容。

主权项

一种半导体装置，其包括形成于半导体衬底上方的阱电阻区域，和形成于所述阱电阻区域内的相互保持距离的两个接触区域，其特征在于：在所述阱电阻区域内的相互保持距离的两个接触区域之间的部分表面区域，还形成有与所述阱电阻区域相反导电性的扩散区域。