一种简化侧墙定义的两次图形曝光工艺的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种简化侧墙定义的两次图形曝光工艺的方法。本发明公开了一种简化侧墙定义的两次图形曝光工艺的方法，通过减少传统侧墙定义的两次图形曝光中的曝光工艺，简化了工艺流程，相应的降低了工艺的成本，并提高了器件的良率。

主权项

一种简化侧墙定义的两次图形曝光工艺的方法，包括从下至上顺序依次覆盖有下层介质层和层间绝缘介质层的衬底，所述层间绝缘介质层上设置有环路结构的侧墙，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：淀积二氧化硅薄膜覆盖层间绝缘介质层及侧墙后，进行平坦化处理，以去除覆盖在侧墙上及部分覆盖在层间绝缘介质层上的二氧化硅薄膜，同时去除部分侧墙，以使平坦化后侧墙的上表面与二氧化硅薄膜的上表面在同一水平面上；步骤S2：去除平坦化后的侧墙，于平坦化后的二氧化硅薄膜内形成环状结构的侧墙凹槽；旋涂光刻胶覆盖平坦化后的二氧化硅薄膜和侧墙凹槽，曝光、显影后形成光阻，并以该光阻为掩膜刻蚀平坦化后的二氧化硅薄膜至层间绝缘介质层，去除光阻形成具有沟槽图案的二氧化硅薄膜；步骤S3：以具有沟槽图案的二氧化硅薄膜为掩膜刻蚀层间绝缘介质层至下层介质层后，去除具有沟槽图案的二氧化硅薄膜，形成沟槽图案的结构。