氮化镓基紫外光发光二极管及其制造方法

摘要

一种氮化镓基紫外光发光二极管，包括基板、缓冲层及半导体发光结构，基板上形成若干阵列分布的凸起，相邻的凸起之间相互间隔形成一凹陷，基板于每一凹陷的底部形成一底面，缓冲层形成于基板的每一凹陷的底面，还包括横向生长增强层，横向生长增强层覆盖于基板及缓冲层之上，半导体发光结构位于横向生长增强层上。与现有技术相比，上述氮化镓基紫外光发光二极管的横向生长增强层内掺杂杂质，杂质提高形成横向生长增强层时的横向生长速度，进而提高横向生长增强层的生长品质，从而有助于最终形成具有较佳品质的氮化镓基紫外光发光二极管。本发明还公开一种氮化镓基紫外光发光二极管制造方法。

主权项

一种氮化镓基紫外光发光二极管，包括基板、缓冲层及半导体发光结构，基板上形成若干阵列分布的凸起，相邻的凸起之间相互间隔形成一凹陷，基板于每一凹陷的底部形成一底面，缓冲层形成于基板的每一凹陷的底面，其特征在于：还包括横向生长增强层，横向生长增强层覆盖于基板及缓冲层之上，半导体发光结构位于横向生长增强层上。