单晶纳米线阵列的合成方法

摘要

本发明提供了一种合成单晶纳米线阵列的方法，属于纳米材料的制备领域。该方法首先选择蒸汽压的前驱体，然后结合模板，采用气相沉积的方法，利用生长环境中的水蒸气或者其它具有湿度的载气完成反应，最终生长得到纳米线沉积到模板的孔道中，形成单晶纳米线阵列。本发明所制备的材料具有长度可调，直径可调，可以得到品质优良的单晶等诸多优点，解决了以往纳米线合成中易于被污染，长度、直径不可控，晶体质量差，所得纳米线产量稀少以及实验重复性差等缺点。

主权项

一种单晶纳米线阵列的合成方法，其步骤包括：A.制备模板；B.在瓷舟中放入前驱体和模板，所述前驱体为CuCl；C.将瓷舟放入化学气相沉积装置的石英管或马弗炉中；D.以10℃/min的速度升温至350‑550℃，并且在此温度保持5h；E.待温度自然冷却，去除模板，得到CuO单晶纳米线阵列。